MRF6V12500HR5

A termék tulajdonságai

Gyártó:	NXP
Csomag / tok:	NI-780H-2
Csatornák száma:	1 csatorna
Terméktípus:	RF MOSFET Transistors
Sorozat:	MRF6V12500H

Kategória: NXP

Gyártó:	NXP
Termékkategória:	RF MOSFET Transistors
Transistor Polarity:	N-Channel
Technology:	Si
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	110 V
Operating Frequency:	960 MHz to 1.215 MHz
Gain:	19.7 dB
Output Power:	500 W
Maximális üzemi hőmérséklet:	+ 150 C
Szerelési stílus:	Flange Mount
Csomag / tok:	NI-780H-2
Csomagolás:	Reel
Csomagolás:	Vágott szalag
Csomagolás:	MouseReel
Márka:	NXP Semiconductors
Configuration:	Single
Csatornák száma:	1 csatorna
Terméktípus:	RF MOSFET Transistors
Sorozat:	MRF6V12500H
Gyári csomag mennyisége:	50
Alkategória:	MOSFETs
Típus:	RF Power MOSFET
Vgs – Gate-Source Voltage:	+ 10 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2.4 V
Alkatrész # Álnevek:	935310167178
Egységsúly:	0.226635 oz

További információ

MRF6V12500 Pulse Lateral N-Ch RF Power MOSFET

NXP’s MRF6V12500 Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET is designed for applications operating at frequencies between 960 and 1215 MHz. Features include devices that are internally matched for ease of use, qualified up to a maximum of 50 V_DD operation, integrated ESD protection, and they have greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation. This device is suitable for use in pulse applications.
Tudjon meg többet

Értékelések

Még nincsenek értékelések.

MRF6V12500HR5

További információ

MRF6V12500 Pulse Lateral N-Ch RF Power MOSFET

Értékelések

„MRF6V12500HR5” értékelése elsőként Válasz megszakítása

Kapcsolódó termékek

Bejelentkezés