DN3525N8-G

A termék tulajdonságai

Gyártó:	Microchip
Termékkategória:	MOSFET
Technology:	Si
Szerelési stílus:	SMD/SMT
Csomag / tok:	SOT-89-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Csatornák száma:	1 csatorna
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	250 V
Id – Continuous Drain Current:	360 mA
Rds On – Drain-Source Resistance:	6 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Qg – Gate Charge:	–
Minimális üzemi hőmérséklet:	– 55 C
Maximális üzemi hőmérséklet:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	1.6 W
Channel Mode:	Depletion
Csomagolás:	Reel
Csomagolás:	Vágott szalag
Csomagolás:	MouseReel
Márka:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Fall Time:	40 ns
Magasság:	1.6 mm
Hosszúság:	4.6 mm
Product:	MOSFET Small Signals
Terméktípus:	MOSFET
Rise Time:	25 ns
Gyári csomag mennyisége:	2000
Alkategória:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Típus:	FET
Szélesség:	2.6 mm
Egységsúly:	0.004233 oz

Még nincsenek értékelések.