Fabricant : |
STMicroelectronics |
Catégorie de produit : | MOSFET |
Technology: |
Si |
Style de montage : |
À travers le trou |
Emballage / Caisse : |
TO-247-3 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Nombre de canaux : |
1 Canal |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
650 V |
Id – Continuous Drain Current: |
84 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
29 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 25 V, + 25 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
3 V |
Qg – Gate Charge: |
204 nC |
Température minimale de fonctionnement : |
– 55 C |
Température de fonctionnement maximale : |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
450 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Nom commercial : |
MDmesh |
Série : |
Mdmesh M5 |
Emballage : |
Tube |
Marque : | STMicroelectronics |
Configuration: | Single |
Type de produit : | MOSFET |
Quantité d'emballage d'usine : | 600 |
Sous-catégorie : | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Poids unitaire : | 0.211644 oz |
STW88N65M5
Propriétés du produit
Fabricant : |
STMicroelectronics |
Emballage / Caisse : |
TO-247-3 |
Nombre de canaux : |
1 Canal |
Série : |
Mdmesh M5 |
Type de produit : | MOSFET |
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