Fabricant : |
STMicroelectronics |
Catégorie de produit : | MOSFET |
Technology: |
Si |
Style de montage : |
SMD/SMT |
Emballage / Caisse : |
H2PAK-2 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Nombre de canaux : |
1 Canal |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
600 V |
Id – Continuous Drain Current: |
27 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
99 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
4.5 V |
Qg – Gate Charge: |
44 nC |
Température minimale de fonctionnement : |
– 55 C |
Température de fonctionnement maximale : |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
179 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Qualification: |
AEC-Q101 |
Série : |
MDmesh DM9 |
Emballage : |
Enrouleur |
Emballage : |
Ruban coupé |
Emballage : |
MouseReel |
Marque : | STMicroelectronics |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 5 ns |
Type de produit : | MOSFET |
Rise Time: | 8 ns |
Quantité d'emballage d'usine : | 1000 |
Sous-catégorie : | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
Poids unitaire : | 0.052558 oz |
STH60N099DM9-2AG
Propriétés du produit
Fabricant : |
STMicroelectronics |
Emballage / Caisse : |
H2PAK-2 |
Nombre de canaux : |
1 Canal |
Série : |
MDmesh DM9 |
Type de produit : | MOSFET |
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