NTMFS3D6N10MCLT1G

Propriétés du produit

Fabricant :
 onsemi
Emballage / Caisse :
 SO-8FL-4
Nombre de canaux :
 1 Canal
Série :
 NTMFS3D6N10MCL
Type de produit : MOSFET

 

Catégorie :
Fabricant :
 onsemi
Catégorie de produit : MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:
 Si
Style de montage :
 SMD/SMT
Emballage / Caisse :
 SO-8FL-4
Transistor Polarity:
 N-Channel
Nombre de canaux :
 1 Canal
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 100 V
Id – Continuous Drain Current:
 131 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 3.6 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 3 V
Qg – Gate Charge:
 60 nC
Température minimale de fonctionnement :
 – 55 C
Température de fonctionnement maximale :
 + 150 C
Pd – Power Dissipation:
 136 W
Channel Mode:
 Enhancement
Série :
 NTMFS3D6N10MCL
Emballage :
 Enrouleur
Emballage :
 Ruban coupé
Emballage :
 MouseReel
Marque : onsemi
Type de produit : MOSFET
Quantité d'emballage d'usine : 1500
Sous-catégorie : MOSFETs

NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs with high thermal performance. This MOSFET comes with low drain-to-source resistance (RDS(on)) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. onsemi NTMFS3D6N10MCL MOSFET is available in a small footprint flat lead package with 5mm x 6mm dimensions. Typical applications include primary DC-DC MOSFETs, synchronous rectifiers in DC-DC and AC-DC, motor drives, and switching power supplies.

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