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Fabricant : |
NXP |
| Catégorie de produit : | RF MOSFET Transistors |
| REACH – SVHC: | |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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Technology: |
Si |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
100 V |
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Operating Frequency: |
960 MHz to 1.4 GHz |
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Gain: |
25 dB |
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Output Power: |
10 W |
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Température minimale de fonctionnement : |
– 65 C |
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Température de fonctionnement maximale : |
+ 150 C |
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Style de montage : |
Flange Mount |
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Emballage / Caisse : |
PLD-1.5 |
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Emballage : |
Enrouleur |
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Emballage : |
Ruban coupé |
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Emballage : |
MouseReel |
| Marque : | NXP Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single Dual Source |
| Hauteur : | 1.83 mm |
| Longueur : | 6.73 mm |
| Sensible à l'humidité : | Oui |
| Type de produit : | RF MOSFET Transistors |
| Série : | MRF6V10010N |
| Quantité d'emballage d'usine : | 100 |
| Sous-catégorie : | MOSFETs |
| Type : | RF Power MOSFET |
| Vgs – Gate-Source Voltage: | + 10 V |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Largeur : | 5.97 mm |
| Partie # Alias : | 935321297531 |
| Poids unitaire : | 0.009877 oz |
MRF6V10010NR4
Propriétés du produit
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Fabricant : |
NXP |
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Emballage / Caisse : |
PLD-1.5 |
| Type de produit : | RF MOSFET Transistors |
| Série : | MRF6V10010N |
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