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Fabricant : |
onsemi |
| Catégorie de produit : | MOSFET |
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Technology: |
Si |
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Style de montage : |
À travers le trou |
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Emballage / Caisse : |
TO-220-3 |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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Nombre de canaux : |
1 Canal |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
650 V |
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Id – Continuous Drain Current: |
19 A |
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Rds On – Drain-Source Resistance: |
165 mOhms |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
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Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
4.5 V |
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Qg – Gate Charge: |
35 nC |
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Température minimale de fonctionnement : |
– 55 C |
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Température de fonctionnement maximale : |
+ 150 C |
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Pd – Power Dissipation: |
35 W |
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Channel Mode: |
Enhancement |
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Série : |
FCPF165N65S3L1-F154 |
| Marque : | onsemi |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 16 ns |
| Type de produit : | MOSFET |
| Rise Time: | 21 ns |
| Quantité d'emballage d'usine : | 1000 |
| Sous-catégorie : | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
FCPF165N65S3L1-F154
Propriétés du produit
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Fabricant : |
onsemi |
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Emballage / Caisse : |
TO-220-3 |
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Nombre de canaux : |
1 Canal |
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Série : |
FCPF165N65S3L1-F154 |
| Type de produit : | MOSFET |
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