Fabricant : |
Texas Instruments |
Catégorie de produit : | MOSFET |
Technology: |
Si |
Style de montage : |
SMD/SMT |
Emballage / Caisse : |
WSON-FET-6 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Nombre de canaux : |
1 Canal |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
100 V |
Id – Continuous Drain Current: |
14.4 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
59 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
3.2 V |
Qg – Gate Charge: |
4.3 nC |
Température minimale de fonctionnement : |
– 55 C |
Température de fonctionnement maximale : |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
2.5 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Nom commercial : |
NexFET |
Série : |
CSD19538Q2 |
Emballage : |
Enrouleur |
Emballage : |
Ruban coupé |
Emballage : |
MouseReel |
Marque : | Texas Instruments |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 2 ns |
Hauteur : | 0.75 mm |
Longueur : | 2 mm |
Type de produit : | MOSFET |
Rise Time: | 3 ns |
Quantité d'emballage d'usine : | 250 |
Sous-catégorie : | MOSFETs |
Typical Turn-Off Delay Time: | 7 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
Largeur : | 2 mm |
Poids unitaire : | 0.000208 oz |
CSD19538Q2T
Propriétés du produit
Fabricant : |
Texas Instruments |
Emballage / Caisse : |
WSON-FET-6 |
Nombre de canaux : |
1 Canal |
Série : |
CSD19538Q2 |
Type de produit : | MOSFET |
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