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Fabricant : |
NXP |
| Catégorie de produit : | RF Bipolar Transistors |
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Série : |
BFU730F |
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Transistor Type: |
Bipolar Wideband |
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Technology: |
SiGe |
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Transistor Polarity: |
NPN |
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Operating Frequency: |
55 GHz |
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DC Collector/Base Gain hfe Min: |
205 |
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Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
2.8 V |
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Emitter- Base Voltage VEBO: |
1 V |
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Continuous Collector Current: |
5 mA |
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Température de fonctionnement maximale : |
+ 150 C |
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Configuration: |
Single |
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Style de montage : |
SMD/SMT |
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Emballage / Caisse : |
SOT-343F-4 |
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Emballage : |
Enrouleur |
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Emballage : |
Ruban coupé |
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Emballage : |
MouseReel |
| Marque : | NXP Semiconductors |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 10 V |
| DC Current Gain hFE Max: | 555 |
| Hauteur : | 0.75 mm |
| Longueur : | 2.2 mm |
| Maximum DC Collector Current: | 30 mA |
| Pd – Power Dissipation: | 197 mW |
| Type de produit : | RF Bipolar Transistors |
| Quantité d'emballage d'usine : | 3000 |
| Sous-catégorie : | Transistors |
| Type : | RF Silicon Germanium |
| Largeur : | 1.35 mm |
| Partie # Alias : | 934064614115 |
| Poids unitaire : | 0.000235 oz |
BFU730F,115
Propriétés du produit
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Fabricant : |
NXP |
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Série : |
BFU730F |
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Emballage / Caisse : |
SOT-343F-4 |
| Type de produit : | RF Bipolar Transistors |
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