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Fabricant : |
NXP |
| Catégorie de produit : | RF Bipolar Transistors |
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Série : |
BFU530 |
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Transistor Type: |
Bipolar Wideband |
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Technology: |
Si |
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Transistor Polarity: |
NPN |
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Operating Frequency: |
11 GHz |
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DC Collector/Base Gain hfe Min: |
60 |
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Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
12 V |
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Emitter- Base Voltage VEBO: |
2 V |
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Continuous Collector Current: |
40 mA |
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Température minimale de fonctionnement : |
- 40 C |
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Température de fonctionnement maximale : |
+ 150 C |
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Configuration: |
Single |
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Style de montage : |
SMD/SMT |
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Emballage / Caisse : |
SOT-143B-4 |
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Emballage : |
Enrouleur |
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Emballage : |
Ruban coupé |
| Marque : | NXP Semiconductors |
| Maximum DC Collector Current: | 65 mA |
| Output Power: | 10 dBm |
| Pd – Power Dissipation: | 450 mW |
| Type de produit : | RF Bipolar Transistors |
| Quantité d'emballage d'usine : | 10000 |
| Sous-catégorie : | Transistors |
| Partie # Alias : | 934067703235 |
| Poids unitaire : | 0.000314 oz |
BFU530VL
Propriétés du produit
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Fabricant : |
NXP |
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Série : |
BFU530 |
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Emballage / Caisse : |
SOT-143B-4 |
| Type de produit : | RF Bipolar Transistors |
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