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Fabricant : |
Texas Instruments |
| Catégorie de produit : | MOSFET |
| REACH – SVHC: | |
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Technology: |
Si |
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Style de montage : |
À travers le trou |
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Emballage / Caisse : |
TO-220-3 |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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Nombre de canaux : |
1 Canal |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
60 V |
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Id – Continuous Drain Current: |
169 A |
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Rds On – Drain-Source Resistance: |
4.2 mOhms |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
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Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1.5 V |
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Qg – Gate Charge: |
44 nC |
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Température minimale de fonctionnement : |
– 55 C |
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Température de fonctionnement maximale : |
+ 175 C |
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Pd – Power Dissipation: |
250 W |
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Channel Mode: |
Enhancement |
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Nom commercial : |
NexFET |
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Série : |
CSD18532KCS |
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Emballage : |
Tube |
| Marque : | Texas Instruments |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 5.6 ns |
| Forward Transconductance – Min: | 187 S |
| Hauteur : | 16.51 mm |
| Longueur : | 10.67 mm |
| Type de produit : | MOSFET |
| Rise Time: | 5.3 ns |
| Quantité d'emballage d'usine : | 50 |
| Sous-catégorie : | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24.2 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.8 ns |
| Largeur : | 4.7 mm |
| Poids unitaire : | 0.068784 oz |
CSD18532KCS
Propriétés du produit
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Fabricant : |
Texas Instruments |
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Emballage / Caisse : |
TO-220-3 |
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Nombre de canaux : |
1 Canal |
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Série : |
CSD18532KCS |
| Type de produit : | MOSFET |
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