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Fabricant : |
Microchip |
| Catégorie de produit : | Discrete Semiconductor Modules |
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Produit: |
Power MOSFET Modules |
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Technology: |
SiC |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 10 V, + 23 V |
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Style de montage : |
Screw Mount |
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Emballage / Caisse : |
TO-247-3 |
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Température minimale de fonctionnement : |
– 55 C |
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Température de fonctionnement maximale : |
+ 175 C |
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Emballage : |
Tube |
| Marque : | Microchip Technology |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 18 ns |
| Id – Continuous Drain Current: | 113 A |
| Nombre de canaux : | 1 Canal |
| Pd – Power Dissipation: | 455 W |
| Type de produit : | Discrete Semiconductor Modules |
| Rds On – Drain-Source Resistance: | 22 mOhms |
| Rise Time: | 13 ns |
| Quantité d'emballage d'usine : | 30 |
| Sous-catégorie : | Discrete Semiconductor Modules |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 51 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
| Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
MSC017SMA120B
Propriétés du produit
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Fabricant : |
Microchip |
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Produit: |
Power MOSFET Modules |
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Emballage / Caisse : |
TO-247-3 |
| Nombre de canaux : | 1 Canal |
| Type de produit : | Discrete Semiconductor Modules |
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