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Fabricant : |
STMicroelectronics |
| Catégorie de produit : | MOSFET |
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Technology: |
Si |
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Style de montage : |
À travers le trou |
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Emballage / Caisse : |
TO-247-3 |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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Nombre de canaux : |
1 Canal |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
650 V |
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Id – Continuous Drain Current: |
54 A |
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Rds On – Drain-Source Resistance: |
45 mOhms |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
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Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
4.2 V |
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Qg – Gate Charge: |
80 nC |
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Température minimale de fonctionnement : |
– 55 C |
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Température de fonctionnement maximale : |
+ 150 C |
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Pd – Power Dissipation: |
312 W |
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Channel Mode: |
Enhancement |
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Série : |
MDmesh M9 |
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Emballage : |
Tube |
| Marque : | STMicroelectronics |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 4 ns |
| Type de produit : | MOSFET |
| Rise Time: | 26 ns |
| Quantité d'emballage d'usine : | 30 |
| Sous-catégorie : | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 77 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Poids unitaire : | 0.215171 oz |
STWA65N045M9
Propriétés du produit
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Fabricant : |
STMicroelectronics |
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Emballage / Caisse : |
TO-247-3 |
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Nombre de canaux : |
1 Canal |
|
Série : |
MDmesh M9 |
| Type de produit : | MOSFET |
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