TC6320K6-G

Tuotteen ominaisuudet

Valmistaja:	Microchip
Tuotekategoria:	MOSFET
Technology:	Si
Asennustapa:	SMD/SMT
Pakkaus / kotelo:	DFN-8
Transistor Polarity:	N-Channel, P-Channel
Kanavien määrä:	2 kanavaa
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	200 V
Id – Continuous Drain Current:	1 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	7 Ohms, 8 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	–
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	1 V
Qg – Gate Charge:	–
Pienin käyttölämpötila:	– 55 C
Suurin käyttölämpötila:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	–
Channel Mode:	Enhancement
Pakkaus:	Kela
Pakkaus:	Leikkaa nauha
Pakkaus:	MouseReel
Tuotemerkki:	Microchip Technology
Configuration:	Dual
Fall Time:	15 ns, 15 ns
Forward Transconductance – Min:	400 mS, 400 mS
Korkeus:	1.37 mm
Pituus:	4.89 mm
Kosteudelle herkkä:	Kyllä
Tuote:	MOSFET Small Signals
Tuotetyyppi:	MOSFET
Rise Time:	15 ns, 15 ns
Tehdaspakkauksen määrä:	3300
Alaluokka:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	20 ns, 20 ns
Typical Turn-On Delay Time:	10 ns, 10 ns
Leveys:	3.91 mm
Yksikön paino:	0.005686 oz

Tuotearvioita ei vielä ole.