SSM2212RZ

Tuotteen ominaisuudet

Valmistaja:
 Analog Devices Inc.
Pakkaus / kotelo:
 SOIC-8
Sarja:
 SSM2212
Tuotetyyppi: BJTs – Bipolar Transistors

 

Osasto:
Valmistaja:
 Analog Devices Inc.
Tuotekategoria: Bipolar Transistors – BJT
Asennustapa:
 SMD/SMT
Pakkaus / kotelo:
 SOIC-8
Transistor Polarity:
 NPN
Configuration:
 Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
 40 V
Collector- Base Voltage VCBO:
 40 V
Emitter- Base Voltage VEBO:
 –
Collector-Emitter Saturation Voltage:
 50 mV
Maximum DC Collector Current:
 20 mA
Pd – Power Dissipation:
 –
Gain Bandwidth Product fT:
 200 MHz
Pienin käyttölämpötila:
 - 40 C
Suurin käyttölämpötila:
 + 85 C
Sarja:
 SSM2212
Pakkaus:
 Putki
Tuotemerkki: Analogiset laitteet
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200 at 10 uA, 15 V
Korkeus: 1,5 mm
Pituus: 5 mm
Tuotetyyppi: BJTs – Bipolar Transistors
Tehdaspakkauksen määrä: 98
Alaluokka: Transistors
Technology: Si
Leveys: 4 mm
Yksikön paino: 0,019048 oz

SSM2212 Dual-Matched NPN Transistor

Analog Devices SSM2212 Dual-Matched NPN Transistors are dual, NPN-matched transistor pairs specifically designed to meet the requirements of ultra-low noise audio systems. With its extremely low input base spreading resistance (rbb’ is typically 28Ω) and high current gain (hFE typically exceeds 600 at IC = 1mA), the SSM2212 can achieve outstanding signal-to-noise ratios. The high current gain results in superior performance compared to systems incorporating commercially available monolithic amplifiers.

Linear ADI SLP

Arviot

Tuotearvioita ei vielä ole.

Kirjoita ensimmäinen arvio tuotteelle “SSM2212RZ”

Tutustu myös

Pikakatselu

MAX296ESA+

Pikakatselu

MAX292CSA+

Pikakatselu

MAX7401ESA+

Pikakatselu

LTC1565-31CS8#PBF

Pikakatselu

LTC1569IS8-6#PBF

Pikakatselu

MAX297EWE+

Pikakatselu

MAX7418EUA+

Pikakatselu

LTC1569IS8-6#PBF

fiFI
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK fiFI