NVMJST1D4N06CLTXG

Tuotteen ominaisuudet

Valmistaja:
 onsemi
Pakkaus / kotelo:
 TCPAK57
Kanavien määrä:
 1 kanava
Sarja:
 NVMJST1D4N06CL
Tuotetyyppi: MOSFET

 

Osasto:
Valmistaja:
 onsemi
Tuotekategoria: MOSFET
Asennustapa:
 SMD/SMT
Pakkaus / kotelo:
 TCPAK57
Transistor Polarity:
 N-Channel
Kanavien määrä:
 1 kanava
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 60 V
Id – Continuous Drain Current:
 198 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 1.49 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 2 V
Qg – Gate Charge:
 92.2 nC
Pienin käyttölämpötila:
 – 55 C
Suurin käyttölämpötila:
 + 175 C
Pd – Power Dissipation:
 113 W
Channel Mode:
 Enhancement
Sarja:
 NVMJST1D4N06CL
Tuotemerkki: onsemi
Configuration: Single
Fall Time: 11 ns
Forward Transconductance – Min: 217 S
Tuotetyyppi: MOSFET
Rise Time: 25 ns
Tehdaspakkauksen määrä: 3000
Alaluokka: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 60 ns
Typical Turn-On Delay Time: 16 ns

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low RDS(ON), low QG, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

Arviot

Tuotearvioita ei vielä ole.

Kirjoita ensimmäinen arvio tuotteelle “NVMJST1D4N06CLTXG”

Tutustu myös

Pikakatselu

LM2904DMR2G

Pikakatselu

NCS213RSQT2G

Pikakatselu

NCS2252SN2T1G

Pikakatselu

NCV2904DMR2G

Pikakatselu

NCS20072DMR2G

Pikakatselu

TLV274DR2G

Pikakatselu

NCS21911SN2T1G

Pikakatselu

NCS21912DMR2G

fiFI
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK fiFI