NVMFS9D6P04M8LT1G

Tuotteen ominaisuudet

Valmistaja:	onsemi
Tuotekategoria:	MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:	Si
Asennustapa:	SMD/SMT
Pakkaus / kotelo:	SO-8FL
Transistor Polarity:	P-Channel
Kanavien määrä:	1 kanava
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Id – Continuous Drain Current:	77 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	9.5 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2.4 V
Qg – Gate Charge:	15.05 nC
Pienin käyttölämpötila:	– 55 C
Suurin käyttölämpötila:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	75 W
Channel Mode:	Enhancement
Sarja:	NVMFS9D6P04M8L
Pakkaus:	Kela
Pakkaus:	Leikkaa nauha
Tuotemerkki:	onsemi
Configuration:	Single
Fall Time:	63 ns
Forward Transconductance – Min:	36 S
Tuotetyyppi:	MOSFET
Rise Time:	103 ns
Tehdaspakkauksen määrä:	1500
Alaluokka:	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	83.3 ns
Typical Turn-On Delay Time:	13.1 ns

Tuotearvioita ei vielä ole.