NVBLS0D5N04CTXG

Tuotteen ominaisuudet

Valmistaja:
 onsemi
Pakkaus / kotelo:
 TO-LL8-8
Kanavien määrä:
 1 kanava
Sarja:
 NVBLS0D5N04C
Tuotetyyppi: MOSFET

 

Osasto:
Valmistaja:
 onsemi
Tuotekategoria: MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:
 Si
Asennustapa:
 SMD/SMT
Pakkaus / kotelo:
 TO-LL8-8
Transistor Polarity:
 N-Channel
Kanavien määrä:
 1 kanava
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 40 V
Id – Continuous Drain Current:
 300 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 570 uOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 4 V
Qg – Gate Charge:
 185 nC
Pienin käyttölämpötila:
 – 55 C
Suurin käyttölämpötila:
 + 175 C
Pd – Power Dissipation:
 198.4 W
Channel Mode:
 Enhancement
Sarja:
 NVBLS0D5N04C
Pakkaus:
 Kela
Pakkaus:
 Leikkaa nauha
Pakkaus:
 MouseReel
Tuotemerkki: onsemi
Tuotetyyppi: MOSFET
Tehdaspakkauksen määrä: 2000
Alaluokka: MOSFETs

Automotive Power MOSFETs

onsemi  Power MOSFETs feature low RDS(on) to minimize conduction losses and low Qg/capacitance to minimize driver losses. These power MOSFETs lower switching losses/Electro-Magnetic Interference (EMI). onsemi Automotive Power MOSFETs come in a TO-Leadless (TOLL) package for efficient designs with high thermal performance. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. These devices are suitable for power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, and home automation.

Arviot

Tuotearvioita ei vielä ole.

Kirjoita ensimmäinen arvio tuotteelle “NVBLS0D5N04CTXG”

Tutustu myös

Pikakatselu

NCS214RSQT2G

Pikakatselu

NCS2252SN2T1G

Pikakatselu

NE521DR2G

Pikakatselu

NCV20072DTBR2G

Pikakatselu

LMV331SQ3T2G

Pikakatselu

NCS20072DMR2G

Pikakatselu

MC33172VDR2G

Pikakatselu

NCS20091MUTAG

fiFI
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK fiFI