NTMFS4C324NT1G

Tuotteen ominaisuudet

Valmistaja:	onsemi
Tuotekategoria:	MOSFET
Asennustapa:	SMD/SMT
Pakkaus / kotelo:	SO-8
Transistor Polarity:	N-Channel
Kanavien määrä:	1 kanava
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Id – Continuous Drain Current:	136 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	1.7 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2.2 V
Qg – Gate Charge:	20.8 nC
Pienin käyttölämpötila:	– 55 C
Suurin käyttölämpötila:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	64 W
Channel Mode:	Enhancement
Tuotemerkki:	onsemi
Configuration:	SIngle
Fall Time:	17 ns
Forward Transconductance – Min:	136 S
Tuotetyyppi:	MOSFET
Rise Time:	32 ns
Tehdaspakkauksen määrä:	1500
Alaluokka:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	27 ns
Typical Turn-On Delay Time:	14 ns

Tuotearvioita ei vielä ole.