NTMFS3D6N10MCLT1G

Tuotteen ominaisuudet

Valmistaja:
 onsemi
Pakkaus / kotelo:
 SO-8FL-4
Kanavien määrä:
 1 kanava
Sarja:
 NTMFS3D6N10MCL
Tuotetyyppi: MOSFET

 

Osasto:
Valmistaja:
 onsemi
Tuotekategoria: MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:
 Si
Asennustapa:
 SMD/SMT
Pakkaus / kotelo:
 SO-8FL-4
Transistor Polarity:
 N-Channel
Kanavien määrä:
 1 kanava
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 100 V
Id – Continuous Drain Current:
 131 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 3.6 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 3 V
Qg – Gate Charge:
 60 nC
Pienin käyttölämpötila:
 – 55 C
Suurin käyttölämpötila:
 + 150 C
Pd – Power Dissipation:
 136 W
Channel Mode:
 Enhancement
Sarja:
 NTMFS3D6N10MCL
Pakkaus:
 Kela
Pakkaus:
 Leikkaa nauha
Pakkaus:
 MouseReel
Tuotemerkki: onsemi
Tuotetyyppi: MOSFET
Tehdaspakkauksen määrä: 1500
Alaluokka: MOSFETs

NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs with high thermal performance. This MOSFET comes with low drain-to-source resistance (RDS(on)) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. onsemi NTMFS3D6N10MCL MOSFET is available in a small footprint flat lead package with 5mm x 6mm dimensions. Typical applications include primary DC-DC MOSFETs, synchronous rectifiers in DC-DC and AC-DC, motor drives, and switching power supplies.

Arviot

Tuotearvioita ei vielä ole.

Kirjoita ensimmäinen arvio tuotteelle “NTMFS3D6N10MCLT1G”

Tutustu myös

Pikakatselu

SA572DR2G

Pikakatselu

NCV20072DMR2G

Pikakatselu

FAN3852UC16X

Pikakatselu

MC33172VDR2G

Pikakatselu

NCV20061SQ3T2G

Pikakatselu

NCS213RSQT2G

Pikakatselu

NCP2811ADTBR2G

Pikakatselu

NCV20072DTBR2G

fiFI
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK fiFI