NTMFS006N12MCT1G

Tuotteen ominaisuudet

Valmistaja:
 onsemi
Pakkaus / kotelo:
 SO-8FL-4
Kanavien määrä:
 1 kanava
Sarja:
 NTMFS006N12MC
Tuotetyyppi: MOSFET

 

Osasto:
Valmistaja:
 onsemi
Tuotekategoria: MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:
 Si
Asennustapa:
 SMD/SMT
Pakkaus / kotelo:
 SO-8FL-4
Transistor Polarity:
 N-Channel
Kanavien määrä:
 1 kanava
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 120 V
Id – Continuous Drain Current:
 93 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 6 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 4 V
Qg – Gate Charge:
 42 nC
Pienin käyttölämpötila:
 – 55 C
Suurin käyttölämpötila:
 + 150 C
Pd – Power Dissipation:
 104 W
Channel Mode:
 Enhancement
Sarja:
 NTMFS006N12MC
Pakkaus:
 Kela
Pakkaus:
 Leikkaa nauha
Pakkaus:
 MouseReel
Tuotemerkki: onsemi
Tuotetyyppi: MOSFET
Tehdaspakkauksen määrä: 1500
Alaluokka: MOSFETs

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are small-footprint and compact MOSFETs with low RDS(on) and low capacitance. The low RDS(on) value helps to minimize conduction losses, and low capacitance minimizes driver losses. These single N-channel power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant and feature a -55°C to +175°C operating temperature range.

Arviot

Tuotearvioita ei vielä ole.

Kirjoita ensimmäinen arvio tuotteelle “NTMFS006N12MCT1G”

Tutustu myös

Pikakatselu

NCS20072DMR2G

Pikakatselu

TLV274DTBR2G

Pikakatselu

NCS214RSQT2G

Pikakatselu

NE521DR2G

Pikakatselu

FAN3852UC16X

Pikakatselu

LM2904DMR2G

Pikakatselu

NCV2904DMR2G

Pikakatselu

NCP2811ADTBR2G

fiFI
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK fiFI