NDSH10120C-F155

Tuotteen ominaisuudet

Valmistaja:
 onsemi
Tuote:
 Schottky Diodes
Pakkaus / kotelo:
 TO-247-2
Sarja:
 NDSH10120C-F155
Tuotetyyppi: Schottky Diodes & Rectifiers

 

Osasto:
Valmistaja:
 onsemi
Tuotekategoria: Schottky Diodes & Rectifiers
Tuote:
 Schottky Diodes
Asennustapa:
 Reiän läpi
Pakkaus / kotelo:
 TO-247-2
Configuration:
 Single
Technology:
 SiC
If – Forward Current:
 12 A
Vrrm – Repetitive Reverse Voltage:
 1.2 kV
Vf – Forward Voltage:
 1.75 V
Ifsm – Forward Surge Current:
 546 A
Ir – Reverse Current:
 200 uA
Pienin käyttölämpötila:
 – 55 C
Suurin käyttölämpötila:
 + 175 C
Sarja:
 NDSH10120C-F155
Kauppanimi:
 EliteSiC
Pakkaus:
 Putki
Tuotemerkki: onsemi
Operating Temperature Range: – 55 C to + 175 C
Pd – Power Dissipation: 94 W
Tuotetyyppi: Schottky Diodes & Rectifiers
Tehdaspakkauksen määrä: 450
Alaluokka: Diodes & Rectifiers
Vr – Reverse Voltage: 1.2 kV

NDSH10120C-F155 Silicon Carbide Schottky Diode

onsemi NDSH10120C-F155 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. The EliteSiC NDSH10120C-F155 features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. Applications include general purpose, SMPS, solar inverters, UPS, and power switching circuits.

Arviot

Tuotearvioita ei vielä ole.

Kirjoita ensimmäinen arvio tuotteelle “NDSH10120C-F155”

Tutustu myös

Pikakatselu

NCS20091MUTAG

Pikakatselu

NE521DR2G

Pikakatselu

TLV274DTBR2G

Pikakatselu

NCP2811ADTBR2G

Pikakatselu

NCS20032DR2G

Pikakatselu

NCS213RSQT2G

Pikakatselu

MC33172DR2G

Pikakatselu

NCS21912DMR2G

fiFI
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK fiFI