MSC017SMA120B

Tuotteen ominaisuudet

Valmistaja:
 Microchip
Tuote:
 Power MOSFET Modules
Pakkaus / kotelo:
 TO-247-3
Kanavien määrä: 1 kanava
Tuotetyyppi: Discrete Semiconductor Modules

 

Osasto:
Valmistaja:
 Microchip
Tuotekategoria: Discrete Semiconductor Modules
Tuote:
 Power MOSFET Modules
Technology:
 SiC
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 10 V, + 23 V
Asennustapa:
 Screw Mount
Pakkaus / kotelo:
 TO-247-3
Pienin käyttölämpötila:
 – 55 C
Suurin käyttölämpötila:
 + 175 C
Pakkaus:
 Putki
Tuotemerkki: Microchip Technology
Configuration: Single
Fall Time: 18 ns
Id – Continuous Drain Current: 113 A
Kanavien määrä: 1 kanava
Pd – Power Dissipation: 455 W
Tuotetyyppi: Discrete Semiconductor Modules
Rds On – Drain-Source Resistance: 22 mOhms
Rise Time: 13 ns
Tehdaspakkauksen määrä: 30
Alaluokka: Discrete Semiconductor Modules
Transistor Polarity: N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 51 ns
Typical Turn-On Delay Time: 29 ns
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: 2.7 V

MSC017SMA120x Silicon Carbide N-Ch Power MOSFETs

Microchip Technology MSC017SMA120x Silicon Carbide N-Ch Power MOSFETs increase the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost in high-voltage applications. The Microchip MSC017SMA120x SiC MOSFETs provide high efficiency to enable a lighter, more compact system with improved thermal capabilities and lower switching losses.

Arviot

Tuotearvioita ei vielä ole.

Kirjoita ensimmäinen arvio tuotteelle “MSC017SMA120B”

Tutustu myös

Pikakatselu

MCP6V97T-E/MS

Pikakatselu

MCP6007-E/MS

Pikakatselu

MCP6009-E/SL

Pikakatselu

MCP6477T-E/SN

Pikakatselu

MCP6401T-E/LT

Pikakatselu

MCP6V97-E/MS

Pikakatselu

MCP6V96T-E/OT

Pikakatselu

MCP6477T-E/MS

fiFI
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK fiFI