MRF6V12500HR5

Tuotteen ominaisuudet

Valmistaja:
 NXP
Pakkaus / kotelo:
 NI-780H-2
Kanavien määrä: 1 kanava
Tuotetyyppi: RF MOSFET Transistors
Sarja: MRF6V12500H

 

Osasto:
Valmistaja:
 NXP
Tuotekategoria: RF MOSFET Transistors
Transistor Polarity:
 N-Channel
Technology:
 Si
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 110 V
Operating Frequency:
 960 MHz to 1.215 MHz
Gain:
 19.7 dB
Output Power:
 500 W
Suurin käyttölämpötila:
 + 150 C
Asennustapa:
 Flange Mount
Pakkaus / kotelo:
 NI-780H-2
Pakkaus:
 Kela
Pakkaus:
 Leikkaa nauha
Pakkaus:
 MouseReel
Tuotemerkki: NXP Semiconductors
Configuration: Single
Kanavien määrä: 1 kanava
Tuotetyyppi: RF MOSFET Transistors
Sarja: MRF6V12500H
Tehdaspakkauksen määrä: 50
Alaluokka: MOSFETs
Tyyppi: RF Power MOSFET
Vgs – Gate-Source Voltage: + 10 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: 2.4 V
Osa # Aliakset: 935310167178
Yksikön paino: 0.226635 oz

MRF6V12500 Pulse Lateral N-Ch RF Power MOSFET

NXP’s MRF6V12500 Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET is designed for applications operating at frequencies between 960 and 1215 MHz. Features include devices that are internally matched for ease of use, qualified up to a maximum of 50 VDD operation, integrated ESD protection, and they have greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation. This device is suitable for use in pulse applications.
Lue lisää

Arviot

Tuotearvioita ei vielä ole.

Kirjoita ensimmäinen arvio tuotteelle “MRF6V12500HR5”

Tutustu myös

Pikakatselu

TDF8541J/N3,112

Pikakatselu

DSPB56724AG

Pikakatselu

TDF8599ATH/N2CY

Pikakatselu

NCX2222GTX

Pikakatselu

SGTL5000XNLA3

Pikakatselu

SAF4000EL/103Q23AY

Pikakatselu

TFA9879HN/N1,118

Pikakatselu

SGTL5000XNBA3R2

fiFI
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK fiFI