FCPF165N65S3L1-F154

Tuotteen ominaisuudet

Valmistaja:	onsemi
Tuotekategoria:	MOSFET
Technology:	Si
Asennustapa:	Reiän läpi
Pakkaus / kotelo:	TO-220-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Kanavien määrä:	1 kanava
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id – Continuous Drain Current:	19 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	165 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 30 V, + 30 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	4.5 V
Qg – Gate Charge:	35 nC
Pienin käyttölämpötila:	– 55 C
Suurin käyttölämpötila:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	35 W
Channel Mode:	Enhancement
Sarja:	FCPF165N65S3L1-F154
Tuotemerkki:	onsemi
Configuration:	Single
Fall Time:	16 ns
Tuotetyyppi:	MOSFET
Rise Time:	21 ns
Tehdaspakkauksen määrä:	1000
Alaluokka:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	55 ns
Typical Turn-On Delay Time:	18 ns

Tuotearvioita ei vielä ole.