DN3135K1-G

Tuotteen ominaisuudet

Valmistaja:	Microchip
Tuotekategoria:	MOSFET
Technology:	Si
Asennustapa:	SMD/SMT
Pakkaus / kotelo:	SOT-23-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Kanavien määrä:	1 kanava
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	350 V
Id – Continuous Drain Current:	72 mA
Rds On – Drain-Source Resistance:	35 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Qg – Gate Charge:	–
Pienin käyttölämpötila:	– 55 C
Suurin käyttölämpötila:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	360 mW
Channel Mode:	Depletion
Pakkaus:	Kela
Pakkaus:	Leikkaa nauha
Pakkaus:	MouseReel
Tuotemerkki:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Fall Time:	20 ns
Forward Transconductance – Min:	140 mS
Korkeus:	0,95 mm
Pituus:	2.9 mm
Tuote:	MOSFET Small Signals
Tuotetyyppi:	MOSFET
Rise Time:	15 ns
Tehdaspakkauksen määrä:	3000
Alaluokka:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Tyyppi:	FET
Typical Turn-Off Delay Time:	15 ns
Typical Turn-On Delay Time:	10 ns
Leveys:	1.3 mm
Yksikön paino:	0.000282 oz

Tuotearvioita ei vielä ole.