|
Valmistaja: |
NXP |
| Tuotekategoria: | RF Bipolar Transistors |
|
Sarja: |
BFU730LX |
|
Transistor Type: |
Bipolar Wideband |
|
Technology: |
SiGe |
|
Transistor Polarity: |
NPN |
|
Operating Frequency: |
53 GHz |
|
DC Collector/Base Gain hfe Min: |
205 |
|
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
3 V |
|
Emitter- Base Voltage VEBO: |
1.3 V |
|
Continuous Collector Current: |
5 mA |
|
Suurin käyttölämpötila: |
+ 125 C |
|
Configuration: |
Single |
|
Asennustapa: |
SMD/SMT |
|
Pakkaus / kotelo: |
SOT-883C-3 |
|
Pakkaus: |
Kela |
|
Pakkaus: |
Leikkaa nauha |
|
Pakkaus: |
MouseReel |
| Tuotemerkki: | NXP Semiconductors |
| Maximum DC Collector Current: | 30 mA |
| Pd – Power Dissipation: | 160 mW |
| Tuotetyyppi: | RF Bipolar Transistors |
| Tehdaspakkauksen määrä: | 10000 |
| Alaluokka: | Transistors |
| Osa # Aliakset: | 934066878225 |
| Yksikön paino: | 0.000022 oz |
BFU730LXZ
Tuotteen ominaisuudet
|
Valmistaja: |
NXP |
|
Sarja: |
BFU730LX |
|
Pakkaus / kotelo: |
SOT-883C-3 |
| Tuotetyyppi: | RF Bipolar Transistors |
FI 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
Arviot
Tuotearvioita ei vielä ole.