|
Valmistaja: |
NXP |
| Tuotekategoria: | RF Bipolar Transistors |
|
Sarja: |
BFU530 |
|
Transistor Type: |
Bipolar Wideband |
|
Technology: |
Si |
|
Transistor Polarity: |
NPN |
|
Operating Frequency: |
11 GHz |
|
DC Collector/Base Gain hfe Min: |
60 |
|
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
12 V |
|
Emitter- Base Voltage VEBO: |
2 V |
|
Continuous Collector Current: |
40 mA |
|
Pienin käyttölämpötila: |
- 40 C |
|
Suurin käyttölämpötila: |
+ 150 C |
|
Configuration: |
Single |
|
Asennustapa: |
SMD/SMT |
|
Pakkaus / kotelo: |
SOT-143B-4 |
|
Pakkaus: |
Kela |
|
Pakkaus: |
Leikkaa nauha |
| Tuotemerkki: | NXP Semiconductors |
| Maximum DC Collector Current: | 65 mA |
| Output Power: | 10 dBm |
| Pd – Power Dissipation: | 450 mW |
| Tuotetyyppi: | RF Bipolar Transistors |
| Tehdaspakkauksen määrä: | 10000 |
| Alaluokka: | Transistors |
| Osa # Aliakset: | 934067703235 |
| Yksikön paino: | 0.000314 oz |
BFU530VL
Tuotteen ominaisuudet
|
Valmistaja: |
NXP |
|
Sarja: |
BFU530 |
|
Pakkaus / kotelo: |
SOT-143B-4 |
| Tuotetyyppi: | RF Bipolar Transistors |
FI 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
Arviot
Tuotearvioita ei vielä ole.