Valmistaja: |
Texas Instruments |
Tuotekategoria: | MOSFET |
Technology: |
Si |
Asennustapa: |
SMD/SMT |
Pakkaus / kotelo: |
SON-8 |
Transistor Polarity: |
P-Channel |
Kanavien määrä: |
1 kanava |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
20 V |
Id – Continuous Drain Current: |
76 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
300 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 12 V, + 12 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1.15 V |
Qg – Gate Charge: |
9.7 nC |
Pienin käyttölämpötila: |
– 55 C |
Suurin käyttölämpötila: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
69 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Kauppanimi: |
NexFET |
Sarja: |
CSD25402Q3A |
Pakkaus: |
Kela |
Pakkaus: |
Leikkaa nauha |
Pakkaus: |
MouseReel |
Tuotemerkki: | Texas Instruments |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 12 ns |
Forward Transconductance – Min: | 59 S |
Tuotetyyppi: | MOSFET |
Rise Time: | 7 ns |
Tehdaspakkauksen määrä: | 250 |
Alaluokka: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
Yksikön paino: | 0.000981 oz |
CSD25402Q3AT
Tuotteen ominaisuudet
Valmistaja: |
Texas Instruments |
Pakkaus / kotelo: |
SON-8 |
Kanavien määrä: |
1 kanava |
Sarja: |
CSD25402Q3A |
Tuotetyyppi: | MOSFET |
Arviot
Tuotearvioita ei vielä ole.