|
Valmistaja: |
Texas Instruments |
| Tuotekategoria: | MOSFET |
|
Technology: |
Si |
|
Asennustapa: |
SMD/SMT |
|
Pakkaus / kotelo: |
VSONP-8 |
|
Transistor Polarity: |
N-Channel |
|
Kanavien määrä: |
1 kanava |
|
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
30 V |
|
Id – Continuous Drain Current: |
83 A |
|
Rds On – Drain-Source Resistance: |
4.8 mOhms |
|
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
|
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1.1 V |
|
Qg – Gate Charge: |
27 nC |
|
Pienin käyttölämpötila: |
– 55 C |
|
Suurin käyttölämpötila: |
+ 150 C |
|
Pd – Power Dissipation: |
53 W |
|
Channel Mode: |
Enhancement |
|
Kauppanimi: |
NexFET |
|
Sarja: |
CSD17577Q3A |
|
Pakkaus: |
Kela |
|
Pakkaus: |
Leikkaa nauha |
|
Pakkaus: |
MouseReel |
| Tuotemerkki: | Texas Instruments |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 4 ns |
| Forward Transconductance – Min: | 76 S |
| Korkeus: | 0.9 mm |
| Pituus: | 3.15 mm |
| Tuotetyyppi: | MOSFET |
| Rise Time: | 31 ns |
| Tehdaspakkauksen määrä: | 2500 |
| Alaluokka: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Leveys: | 3 mm |
| Yksikön paino: | 0.000977 oz |
CSD17577Q3A
Tuotteen ominaisuudet
|
Valmistaja: |
Texas Instruments |
|
Pakkaus / kotelo: |
VSONP-8 |
|
Kanavien määrä: |
1 kanava |
|
Sarja: |
CSD17577Q3A |
| Tuotetyyppi: | MOSFET |
FI 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
Arviot
Tuotearvioita ei vielä ole.