|
Valmistaja: |
Microchip |
| Tuotekategoria: | MOSFET |
|
Technology: |
Si |
|
Asennustapa: |
Reiän läpi |
|
Pakkaus / kotelo: |
TO-247-3 |
|
Transistor Polarity: |
N-Channel |
|
Kanavien määrä: |
1 kanava |
|
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
500 V |
|
Id – Continuous Drain Current: |
47 A |
|
Rds On – Drain-Source Resistance: |
100 mOhms |
|
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
|
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
2 V |
|
Qg – Gate Charge: |
470 nC |
|
Pienin käyttölämpötila: |
– 55 C |
|
Suurin käyttölämpötila: |
+ 150 C |
|
Pd – Power Dissipation: |
520 W |
|
Channel Mode: |
Enhancement |
|
Pakkaus: |
Putki |
| Tuotemerkki: | Microchip Technology |
| Configuration: | Single |
| Tuotetyyppi: | MOSFET |
| Tehdaspakkauksen määrä: | 1 |
| Alaluokka: | MOSFETs |
| Yksikön paino: | 0.211644 oz |
APT5010LVRG
Tuotteen ominaisuudet
|
Valmistaja: |
Microchip |
|
Pakkaus / kotelo: |
TO-247-3 |
|
Kanavien määrä: |
1 kanava |
| Tuotetyyppi: | MOSFET |
FI 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
Arviot
Tuotearvioita ei vielä ole.