SSM2212RZ-R7

Tuotteen ominaisuudet

Valmistaja:	Analog Devices Inc.
Pakkaus / kotelo:	SOIC-8
Sarja:	SSM2212
Tuotetyyppi:	BJTs – Bipolar Transistors

Osasto: ADI

Valmistaja:	Analog Devices Inc.
Tuotekategoria:	Bipolar Transistors – BJT
Asennustapa:	SMD/SMT
Pakkaus / kotelo:	SOIC-8
Transistor Polarity:	NPN
Configuration:	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	40 V
Collector- Base Voltage VCBO:	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	–
Collector-Emitter Saturation Voltage:	50 mV
Maximum DC Collector Current:	20 mA
Pd – Power Dissipation:	–
Gain Bandwidth Product fT:	200 MHz
Pienin käyttölämpötila:	- 40 C
Suurin käyttölämpötila:	+ 85 C
Sarja:	SSM2212
Pakkaus:	Kela
Pakkaus:	Leikkaa nauha
Pakkaus:	MouseReel
Tuotemerkki:	Analogiset laitteet
DC Collector/Base Gain hfe Min:	300 at 1 mA, 200 at 10 uA
Korkeus:	1,5 mm
Pituus:	5 mm
Tuotetyyppi:	BJTs – Bipolar Transistors
Tehdaspakkauksen määrä:	1000
Alaluokka:	Transistors
Technology:	Si
Leveys:	4 mm
Yksikön paino:	0,019048 oz

Lisätietoja

SSM2212 Dual-Matched NPN Transistor

Analog Devices SSM2212 Dual-Matched NPN Transistors are dual, NPN-matched transistor pairs specifically designed to meet the requirements of ultra-low noise audio systems. With its extremely low input base spreading resistance (rbb’ is typically 28Ω) and high current gain (hFE typically exceeds 600 at IC = 1mA), the SSM2212 can achieve outstanding signal-to-noise ratios. The high current gain results in superior performance compared to systems incorporating commercially available monolithic amplifiers.

Linear ADI SLP

Arviot

Tuotearvioita ei vielä ole.

SSM2212RZ-R7

Lisätietoja

SSM2212 Dual-Matched NPN Transistor

Linear ADI SLP

Arviot

Kirjoita ensimmäinen arvio tuotteelle “SSM2212RZ-R7” Peruuta vastaus

Tutustu myös

Kirjaudu sisään