STD15N60DM6

Valmistaja:	STMicroelectronics
Tuotekategoria:	MOSFET
Technology:	Si
Asennustapa:	SMD/SMT
Transistor Polarity:	N-Channel
Kanavien määrä:	1 kanava
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Id – Continuous Drain Current:	12 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	338 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 25 V, + 25 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	4.75 V
Qg – Gate Charge:	15.3 nC
Pienin käyttölämpötila:	– 55 C
Suurin käyttölämpötila:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	110 W
Channel Mode:	Enhancement
Kauppanimi:	MDmesh
Pakkaus:	Kela
Pakkaus:	Leikkaa nauha
Pakkaus:	MouseReel
Tuotemerkki:	STMicroelectronics
Tuotetyyppi:	MOSFET
Tehdaspakkauksen määrä:	2500
Alaluokka:	MOSFETs
Yksikön paino:	0.011640 oz

Lisätietoja

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, are available to make adding to a design-in easy.

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Arviot

Tuotearvioita ei vielä ole.

STD15N60DM6

Lisätietoja

Standard Products

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

Arviot

Kirjoita ensimmäinen arvio tuotteelle “STD15N60DM6” Peruuta vastaus

Tutustu myös

Kirjaudu sisään