NTP082N65S3HF

Tuotteen ominaisuudet

Valmistaja:
 onsemi
Pakkaus / kotelo:
 TO-220-3
Kanavien määrä:
 1 kanava
Sarja:
 NTP082N65S3HF
Tuotetyyppi: MOSFET

 

Osasto:
Valmistaja:
 onsemi
Tuotekategoria: MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:
 Si
Asennustapa:
 Reiän läpi
Pakkaus / kotelo:
 TO-220-3
Transistor Polarity:
 N-Channel
Kanavien määrä:
 1 kanava
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 650 V
Id – Continuous Drain Current:
 40 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 82 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 30 V, + 30 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 5 V
Qg – Gate Charge:
 81 nC
Pienin käyttölämpötila:
 – 55 C
Suurin käyttölämpötila:
 + 150 C
Pd – Power Dissipation:
 313 W
Channel Mode:
 Enhancement
Sarja:
 NTP082N65S3HF
Pakkaus:
 Putki
Tuotemerkki: onsemi
Tuotetyyppi: MOSFET
Tehdaspakkauksen määrä: 800
Alaluokka: MOSFETs

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

Arviot

Tuotearvioita ei vielä ole.

Kirjoita ensimmäinen arvio tuotteelle “NTP082N65S3HF”

Tutustu myös

Pikakatselu

NE521DR2G

Pikakatselu

NCV20072DMR2G

Pikakatselu

NCV20074DTBR2G

Pikakatselu

NCV20061SQ3T2G

Pikakatselu

MC33172VDR2G

Pikakatselu

NCS20072DMR2G

Pikakatselu

NCS20091MUTAG

Pikakatselu

NCS21911SN2T1G

fiFI
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK fiFI