Tootja: |
STMicroelectronics |
Tootekategooria: | MOSFET |
Technology: |
Si |
Paigaldamise stiil: |
SMD/SMT |
Pakend / ümbris: |
H2PAK-2 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Kanalite arv: |
1 kanal |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
600 V |
Id – Continuous Drain Current: |
27 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
99 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
4.5 V |
Qg – Gate Charge: |
44 nC |
Minimaalne töötemperatuur: |
- 55 C |
Maksimaalne töötemperatuur: |
+ 150 C |
Pd - Võimsuse hajumine: |
179 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Kvalifikatsioon: |
AEC-Q101 |
Seeria: |
MDmesh DM9 |
Pakend: |
Reel |
Pakend: |
Lõigatud lint |
Pakend: |
MouseReel |
Brändi: | STMicroelectronics |
Konfiguratsioon: | Single |
Fall Time: | 5 ns |
Toote tüüp: Toode: | MOSFET |
Rise Time: | 8 ns |
Tehase pakendi kogus: | 1000 |
Alamkategooria: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
Ühiku kaal: | 0.052558 oz |
STH60N099DM9-2AG
Toote omadused
Tootja: |
STMicroelectronics |
Pakend / ümbris: |
H2PAK-2 |
Kanalite arv: |
1 kanal |
Seeria: |
MDmesh DM9 |
Toote tüüp: Toode: | MOSFET |
Arvustused
Tooteülevaateid veel ei ole.