NVMJST1D4N06CLTXG

Toote omadused

Tootja:
 onsemi
Pakend / ümbris:
 TCPAK57
Kanalite arv:
 1 kanal
Seeria:
 NVMJST1D4N06CL
Toote tüüp: Toode: MOSFET

 

Kategooria:
Tootja:
 onsemi
Tootekategooria: MOSFET
Paigaldamise stiil:
 SMD/SMT
Pakend / ümbris:
 TCPAK57
Transistor Polarity:
 N-Channel
Kanalite arv:
 1 kanal
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 60 V
Id – Continuous Drain Current:
 198 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 1.49 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 2 V
Qg – Gate Charge:
 92.2 nC
Minimaalne töötemperatuur:
 - 55 C
Maksimaalne töötemperatuur:
 + 175 C
Pd - Võimsuse hajumine:
 113 W
Channel Mode:
 Enhancement
Seeria:
 NVMJST1D4N06CL
Brändi: onsemi
Konfiguratsioon: Single
Fall Time: 11 ns
Forward Transconductance – Min: 217 S
Toote tüüp: Toode: MOSFET
Rise Time: 25 ns
Tehase pakendi kogus: 3000
Alamkategooria: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 60 ns
Typical Turn-On Delay Time: 16 ns

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low RDS(ON), low QG, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

Arvustused

Tooteülevaateid veel ei ole.

Ole esimene, kes hindab toodet “NVMJST1D4N06CLTXG”

Seotud tooted

Kiirvaade

TLV274DTBR2G

Kiirvaade

NCV20061SQ3T2G

Kiirvaade

MC33172VDR2G

Kiirvaade

SA572DR2G

Kiirvaade

NCP2811ADTBR2G

Kiirvaade

NCS21912DMR2G

Kiirvaade

NCV2902DTBR2G

Kiirvaade

NE521DR2G

etET
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL fiFI fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK etET