|
Tootja: |
NXP |
| Tootekategooria: | RF Bipolar Transistors |
|
Seeria: |
BFU530 |
|
Transistor Type: |
Bipolar Wideband |
|
Technology: |
Si |
|
Transistor Polarity: |
NPN |
|
Operating Frequency: |
11 GHz |
|
DC Collector/Base Gain hfe Min: |
60 |
|
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
12 V |
|
Emitter- Base Voltage VEBO: |
2 V |
|
Continuous Collector Current: |
40 mA |
|
Minimaalne töötemperatuur: |
- 40 C |
|
Maksimaalne töötemperatuur: |
+ 150 C |
|
Konfiguratsioon: |
Single |
|
Paigaldamise stiil: |
SMD/SMT |
|
Pakend / ümbris: |
SOT-143B-4 |
|
Pakend: |
Reel |
|
Pakend: |
Lõigatud lint |
| Brändi: | NXP Semiconductors |
| Maximum DC Collector Current: | 65 mA |
| Output Power: | 10 dBm |
| Pd - Võimsuse hajumine: | 450 mW |
| Toote tüüp: Toode: | RF Bipolar Transistors |
| Tehase pakendi kogus: | 10000 |
| Alamkategooria: | Transistors |
| Osa # Aliase: | 934067703235 |
| Ühiku kaal: | 0.000314 oz |
BFU530VL
Toote omadused
|
Tootja: |
NXP |
|
Seeria: |
BFU530 |
|
Pakend / ümbris: |
SOT-143B-4 |
| Toote tüüp: Toode: | RF Bipolar Transistors |
ET 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
FI 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
Arvustused
Tooteülevaateid veel ei ole.