Tootja: |
NXP |
Tootekategooria: | RF MOSFET Transistors |
Technology: |
GaN Si |
Id – Continuous Drain Current: |
12 mA |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
125 V |
Operating Frequency: |
3.3 GHz to 4.3 GHz |
Kasum: |
16.9 dB |
Output Power: |
24.5 dBm |
Minimaalne töötemperatuur: |
- 55 C |
Maksimaalne töötemperatuur: |
+ 150 C |
Paigaldamise stiil: |
SMD/SMT |
Pakend / ümbris: |
DFN-6 |
Pakend: |
Reel |
Pakend: |
Lõigatud lint |
Brändi: | NXP Semiconductors |
Kanalite arv: | 1 kanal |
Toote tüüp: Toode: | RF MOSFET Transistors |
Seeria: | A5G35S004N |
Tehase pakendi kogus: | 5000 |
Alamkategooria: | MOSFETs |
Tüüp: | RF Power MOSFET |
Vgs – Gate-Source Voltage: | – 16 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | – 2.5 V |
Osa # Aliase: | 935417637528 |
A5G35S004NT6
Toote omadused
Tootja: |
NXP |
Pakend / ümbris: |
DFN-6 |
Kanalite arv: | 1 kanal |
Toote tüüp: Toode: | RF MOSFET Transistors |
Seeria: | A5G35S004N |
Arvustused
Tooteülevaateid veel ei ole.