TN5335K1-G

Propiedades del producto

Fabricante:	Pastilla
Categoría de productos:	MOSFET
Technology:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Estuche:	SOT-23-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Número de canales:	1 Canal
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	350 V
Id – Continuous Drain Current:	110 mA
Rds On – Drain-Source Resistance:	15 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	600 mV
Qg – Gate Charge:	–
Temperatura mínima de funcionamiento:	– 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	360 mW
Channel Mode:	Enhancement
Embalaje:	Carrete
Embalaje:	Cinta de corte
Embalaje:	MouseReel
Marca:	Tecnología de microchips
Configuration:	Single
Fall Time:	25 ns
Forward Transconductance – Min:	125 mS
Altura:	0,95 mm
Longitud:	2.9 mm
Producto:	MOSFET Small Signals
Tipo de producto:	MOSFET
Rise Time:	15 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Tipo:	FET
Typical Turn-Off Delay Time:	25 ns
Typical Turn-On Delay Time:	20 ns
Anchura:	1.3 mm
Peso unitario:	0.000282 oz

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