Fabricante: |
STMicroelectronics |
Categoría de productos: | MOSFET |
Technology: |
Si |
Estilo de montaje: |
SMD/SMT |
Paquete / Estuche: |
H2PAK-2 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Número de canales: |
1 Canal |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
600 V |
Id – Continuous Drain Current: |
27 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
99 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
4.5 V |
Qg – Gate Charge: |
44 nC |
Temperatura mínima de funcionamiento: |
– 55 C |
Temperatura máxima de funcionamiento: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
179 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Qualification: |
AEC-Q101 |
Series: |
MDmesh DM9 |
Embalaje: |
Carrete |
Embalaje: |
Cinta de corte |
Embalaje: |
MouseReel |
Marca: | STMicroelectronics |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 5 ns |
Tipo de producto: | MOSFET |
Rise Time: | 8 ns |
Cantidad del paquete de fábrica: | 1000 |
Subcategoría: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
Peso unitario: | 0.052558 oz |
STH60N099DM9-2AG
Propiedades del producto
Fabricante: |
STMicroelectronics |
Paquete / Estuche: |
H2PAK-2 |
Número de canales: |
1 Canal |
Series: |
MDmesh DM9 |
Tipo de producto: | MOSFET |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.