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Fabricante: |
onsemi |
| Categoría de productos: | MOSFET |
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Technology: |
Si |
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Estilo de montaje: |
SMD/SMT |
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Paquete / Estuche: |
LFPAK-4 |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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Número de canales: |
1 Canal |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
40 V |
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Id – Continuous Drain Current: |
80 A |
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Rds On – Drain-Source Resistance: |
4.5 mOhms |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
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Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
3.5 V |
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Qg – Gate Charge: |
18 nC |
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Temperatura mínima de funcionamiento: |
– 55 C |
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Temperatura máxima de funcionamiento: |
+ 175 C |
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Pd – Power Dissipation: |
55 W |
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Channel Mode: |
Enhancement |
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Series: |
NVMYS4D5N04C |
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Embalaje: |
Carrete |
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Embalaje: |
Cinta de corte |
| Marca: | onsemi |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 8 ns |
| Forward Transconductance – Min: | 57 S |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Rise Time: | 80 ns |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
NVMYS4D5N04CTWG
Propiedades del producto
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Fabricante: |
onsemi |
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Paquete / Estuche: |
LFPAK-4 |
|
Número de canales: |
1 Canal |
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Series: |
NVMYS4D5N04C |
| Tipo de producto: | MOSFET |
ES 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
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