NVH4L060N065SC1

Propiedades del producto

Fabricante:
 onsemi
Paquete / Estuche:
 TO-247-4
Número de canales:
 1 Canal
Series:
 NVH4L060N065SC1
Tipo de producto: MOSFET

 

Categoría:
Fabricante:
 onsemi
Categoría de productos: MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:
 SiC
Estilo de montaje:
 Through Hole
Paquete / Estuche:
 TO-247-4
Transistor Polarity:
 N-Channel
Número de canales:
 1 Canal
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 650 V
Id – Continuous Drain Current:
 47 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 70 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 8 V, + 22 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 4.3 V
Qg – Gate Charge:
 74 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
 – 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
 + 175 C
Pd – Power Dissipation:
 176 W
Channel Mode:
 Enhancement
Tradename:
 EliteSiC
Series:
 NVH4L060N065SC1
Embalaje:
 Tubo
Marca: onsemi
Configuration: Single
Fall Time: 11 ns
Forward Transconductance – Min: 12 S
Tipo de producto: MOSFET
Rise Time: 14 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 450
Subcategoría: MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time: 24 ns
Typical Turn-On Delay Time: 11 ns

NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The onsemi NVH4L060N065SC1 features low ON resistance, and the compact chip size ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

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