NTMFS3D6N10MCLT1G

Propiedades del producto

Fabricante:
 onsemi
Paquete / Estuche:
 SO-8FL-4
Número de canales:
 1 Canal
Series:
 NTMFS3D6N10MCL
Tipo de producto: MOSFET

 

Categoría:
Fabricante:
 onsemi
Categoría de productos: MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:
 Si
Estilo de montaje:
 SMD/SMT
Paquete / Estuche:
 SO-8FL-4
Transistor Polarity:
 N-Channel
Número de canales:
 1 Canal
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 100 V
Id – Continuous Drain Current:
 131 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 3.6 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 3 V
Qg – Gate Charge:
 60 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
 – 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
 + 150 C
Pd – Power Dissipation:
 136 W
Channel Mode:
 Enhancement
Series:
 NTMFS3D6N10MCL
Embalaje:
 Carrete
Embalaje:
 Cinta de corte
Embalaje:
 MouseReel
Marca: onsemi
Tipo de producto: MOSFET
Cantidad del paquete de fábrica: 1500
Subcategoría: MOSFETs

NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs with high thermal performance. This MOSFET comes with low drain-to-source resistance (RDS(on)) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. onsemi NTMFS3D6N10MCL MOSFET is available in a small footprint flat lead package with 5mm x 6mm dimensions. Typical applications include primary DC-DC MOSFETs, synchronous rectifiers in DC-DC and AC-DC, motor drives, and switching power supplies.

Valoraciones

No hay valoraciones aún.

Sé el primero en valorar “NTMFS3D6N10MCLT1G”

Productos relacionados

Vista rápida

FAN3852UC16X

Vista rápida

NCV20074DTBR2G

Vista rápida

LM2901DTBR2G

Vista rápida

SA572DR2G

Vista rápida

TLV274DTBR2G

Vista rápida

NCS21872DMR2G

Vista rápida

NCS21912DMR2G

Vista rápida

NCV2904DMR2G

es_ARES
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fiFI fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU sv_SESV tr_TRTR ukUK es_ARES