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Fabricante: |
onsemi |
| Categoría de productos: | MOSFET |
| REACH – SVHC: | |
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Technology: |
Si |
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Estilo de montaje: |
Through Hole |
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Paquete / Estuche: |
TO-247-3 |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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Número de canales: |
1 Canal |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
650 V |
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Id – Continuous Drain Current: |
75 A |
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Rds On – Drain-Source Resistance: |
19.3 mOhms |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
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Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
4 V |
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Qg – Gate Charge: |
282 nC |
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Temperatura mínima de funcionamiento: |
– 55 C |
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Temperatura máxima de funcionamiento: |
+ 150 C |
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Pd – Power Dissipation: |
625 W |
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Channel Mode: |
Enhancement |
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Series: |
NTHL019N65S3H |
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Embalaje: |
Tubo |
| Marca: | onsemi |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 450 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
NTHL019N65S3H
Propiedades del producto
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Fabricante: |
onsemi |
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Paquete / Estuche: |
TO-247-3 |
|
Número de canales: |
1 Canal |
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Series: |
NTHL019N65S3H |
| Tipo de producto: | MOSFET |
ES 
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