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Fabricante: |
NXP |
| Categoría de productos: | RF MOSFET Transistors |
| REACH – SVHC: | |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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Technology: |
Si |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
100 V |
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Operating Frequency: |
960 MHz to 1.4 GHz |
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Gain: |
25 dB |
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Output Power: |
10 W |
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Temperatura mínima de funcionamiento: |
– 65 C |
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Temperatura máxima de funcionamiento: |
+ 150 C |
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Estilo de montaje: |
Flange Mount |
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Paquete / Estuche: |
PLD-1.5 |
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Embalaje: |
Carrete |
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Embalaje: |
Cinta de corte |
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Embalaje: |
MouseReel |
| Marca: | NXP Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single Dual Source |
| Altura: | 1.83 mm |
| Longitud: | 6.73 mm |
| Sensible a la humedad: | Sí |
| Tipo de producto: | RF MOSFET Transistors |
| Series: | MRF6V10010N |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 100 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo: | RF Power MOSFET |
| Vgs – Gate-Source Voltage: | + 10 V |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Anchura: | 5.97 mm |
| Parte # Aliases: | 935321297531 |
| Peso unitario: | 0.009877 oz |
MRF6V10010NR4
Propiedades del producto
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Fabricante: |
NXP |
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Paquete / Estuche: |
PLD-1.5 |
| Tipo de producto: | RF MOSFET Transistors |
| Series: | MRF6V10010N |
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