DN3525N8-G

Propiedades del producto

Fabricante:	Pastilla
Categoría de productos:	MOSFET
Technology:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Estuche:	SOT-89-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Número de canales:	1 Canal
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	250 V
Id – Continuous Drain Current:	360 mA
Rds On – Drain-Source Resistance:	6 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Qg – Gate Charge:	–
Temperatura mínima de funcionamiento:	– 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	1.6 W
Channel Mode:	Depletion
Embalaje:	Carrete
Embalaje:	Cinta de corte
Embalaje:	MouseReel
Marca:	Tecnología de microchips
Configuration:	Single
Fall Time:	40 ns
Altura:	1.6 mm
Longitud:	4.6 mm
Producto:	MOSFET Small Signals
Tipo de producto:	MOSFET
Rise Time:	25 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Tipo:	FET
Anchura:	2.6 mm
Peso unitario:	0.004233 oz

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