Fabricante: |
Texas Instruments |
Categoría de productos: | MOSFET |
Technology: |
Si |
Estilo de montaje: |
SMD/SMT |
Paquete / Estuche: |
WSON-FET-6 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Número de canales: |
1 Canal |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
100 V |
Id – Continuous Drain Current: |
14.4 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
59 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
3.2 V |
Qg – Gate Charge: |
4.3 nC |
Temperatura mínima de funcionamiento: |
– 55 C |
Temperatura máxima de funcionamiento: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
2.5 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Tradename: |
NexFET |
Series: |
CSD19538Q2 |
Embalaje: |
Carrete |
Embalaje: |
Cinta de corte |
Embalaje: |
MouseReel |
Marca: | Texas Instruments |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 2 ns |
Altura: | 0.75 mm |
Longitud: | 2 mm |
Tipo de producto: | MOSFET |
Rise Time: | 3 ns |
Cantidad del paquete de fábrica: | 250 |
Subcategoría: | MOSFETs |
Typical Turn-Off Delay Time: | 7 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
Anchura: | 2 mm |
Peso unitario: | 0.000208 oz |
CSD19538Q2T
Propiedades del producto
Fabricante: |
Texas Instruments |
Paquete / Estuche: |
WSON-FET-6 |
Número de canales: |
1 Canal |
Series: |
CSD19538Q2 |
Tipo de producto: | MOSFET |
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