Fabricante: |
Texas Instruments |
Categoría de productos: | MOSFET |
REACH – SVHC: | |
Technology: |
Si |
Estilo de montaje: |
Through Hole |
Paquete / Estuche: |
TO-220-3 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Número de canales: |
1 Canal |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
60 V |
Id – Continuous Drain Current: |
169 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
4.2 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1.5 V |
Qg – Gate Charge: |
44 nC |
Temperatura mínima de funcionamiento: |
– 55 C |
Temperatura máxima de funcionamiento: |
+ 175 C |
Pd – Power Dissipation: |
250 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Tradename: |
NexFET |
Series: |
CSD18532KCS |
Embalaje: |
Tubo |
Marca: | Texas Instruments |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 5.6 ns |
Forward Transconductance – Min: | 187 S |
Altura: | 16.51 mm |
Longitud: | 10.67 mm |
Tipo de producto: | MOSFET |
Rise Time: | 5.3 ns |
Cantidad del paquete de fábrica: | 50 |
Subcategoría: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 24.2 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 7.8 ns |
Anchura: | 4.7 mm |
Peso unitario: | 0.068784 oz |
CSD18532KCS
Propiedades del producto
Fabricante: |
Texas Instruments |
Paquete / Estuche: |
TO-220-3 |
Número de canales: |
1 Canal |
Series: |
CSD18532KCS |
Tipo de producto: | MOSFET |
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