Fabricante: |
NXP |
Categoría de productos: | RF Bipolar Transistors |
Series: |
BFU550W |
Transistor Type: |
Bipolar Wideband |
Technology: |
Si |
Transistor Polarity: |
NPN |
Operating Frequency: |
11 GHz |
DC Collector/Base Gain hfe Min: |
60 |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
12 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: |
2 V |
Continuous Collector Current: |
50 mA |
Temperatura mínima de funcionamiento: |
- 40 C |
Temperatura máxima de funcionamiento: |
+ 150 C |
Configuration: |
Single |
Estilo de montaje: |
SMD/SMT |
Paquete / Estuche: |
SOT-323-3 |
Embalaje: |
Carrete |
Embalaje: |
Cinta de corte |
Embalaje: |
MouseReel |
Marca: | NXP Semiconductors |
Collector- Base Voltage VCBO: | 24 V |
DC Current Gain hFE Max: | 200 |
Gain Bandwidth Product fT: | 11 GHz |
Altura: | 1.1 mm |
Longitud: | 2.2 mm |
Maximum DC Collector Current: | 80 mA |
Operating Temperature Range: | – 40 C to + 150 C |
Output Power: | 13.5 dBm |
Pd – Power Dissipation: | 450 mW |
Tipo de producto: | RF Bipolar Transistors |
Cantidad del paquete de fábrica: | 3000 |
Subcategoría: | Transistors |
Tipo: | Wideband RF Transistor |
Anchura: | 1.35 mm |
Parte # Aliases: | 934067695115 |
Peso unitario: | 0.000196 oz |
BFU550WX
Propiedades del producto
Fabricante: |
NXP |
Series: |
BFU550W |
Paquete / Estuche: |
SOT-323-3 |
Tipo de producto: | RF Bipolar Transistors |
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