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Fabricante: |
NXP |
| Categoría de productos: | RF Bipolar Transistors |
|
Series: |
BFU530 |
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Transistor Type: |
Bipolar Wideband |
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Technology: |
Si |
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Transistor Polarity: |
NPN |
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Operating Frequency: |
11 GHz |
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DC Collector/Base Gain hfe Min: |
60 |
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Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
12 V |
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Emitter- Base Voltage VEBO: |
2 V |
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Continuous Collector Current: |
40 mA |
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Temperatura mínima de funcionamiento: |
- 40 C |
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Temperatura máxima de funcionamiento: |
+ 150 C |
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Configuration: |
Single |
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Estilo de montaje: |
SMD/SMT |
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Paquete / Estuche: |
SOT-143B-4 |
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Embalaje: |
Carrete |
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Embalaje: |
Cinta de corte |
| Marca: | NXP Semiconductors |
| Maximum DC Collector Current: | 65 mA |
| Output Power: | 10 dBm |
| Pd – Power Dissipation: | 450 mW |
| Tipo de producto: | RF Bipolar Transistors |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 10000 |
| Subcategoría: | Transistors |
| Parte # Aliases: | 934067703235 |
| Peso unitario: | 0.000314 oz |
BFU530VL
Propiedades del producto
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Fabricante: |
NXP |
|
Series: |
BFU530 |
|
Paquete / Estuche: |
SOT-143B-4 |
| Tipo de producto: | RF Bipolar Transistors |
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